Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальный непрерывный ток стока 31 A
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 18 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.7
Высота 9.4мм
Размеры 10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.1мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 40 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 125 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 60 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2400 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Максимальный непрерывный ток стока 31 A
Тип корпуса TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности 18 Вт
Тип монтажа Монтаж на плату в отверстия
Ширина 4.7
Высота 9.4мм
Размеры 10.1 x 4.7 x 9.4мм
Материал транзистора Кремний
Количество элементов на ИС 1
Длина 10.1мм
Transistor Configuration Одинарный
Типичное время задержки включения 40 нс
Производитель ON Semiconductor
Типичное время задержки выключения 125 ns
Серия QFET
Минимальная рабочая температура -55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage 3V
Максимальное сопротивление сток-исток 75 мОм
Максимальное напряжение сток-исток 200 В
Число контактов 3
Категория Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs 60 nC @ 10 V
Номер канала Поднятие
Типичная входная емкость при Vds 2400 pF @ 25 V
Тип канала N
Максимальное напряжение затвор-исток -30 V, +30 V
Код товара: OS-00002832
-
Цена: 200р
- Кузнечная 14г - Нет в наличии
- Некрасова 107 - Нет в наличии
- Октябрьская 77 - Нет в наличии
- Проспект Мира 1К - Нет в наличии